【2023 年 7 月3 日，德国慕尼黑讯】英飞凌推出采用 TO263- 7 封装的新一代车规级 1200 V CoolSiC™ MOSFET。这款新一代车规级碳化硅（SiC）MOSFET 具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显著降低了车载充电（OBC）和 DC-DC 应用的系统成本。
相比第一代产品，1200 V CoolSiC 系列的开关损耗降低了 25%，具有同类最佳的开关性能。这种开关性能上的改进实现了高频运行，缩小了系统尺寸并提高了功率密度。由于栅极 - 源极阈值电压（VGS(th)）大于 4V 且 Crss/Ciss 比率极低，因此在 VGS=0 V 时可实现可靠的关断，而且没有寄生导通的风险。这使得单极驱动成为可能，从而降低了系统成本和复杂性。另外，新一代产品具有低导通电阻（RDS(on)），减少了 -55℃至 175℃温度范围内的传导损耗。
先进的扩散焊接芯片贴装工艺（.XT 技术）显著改善了封装的热性能，相比第一代产品，SiC MOSFET 的结温降低了 25%。
此外，这款 MOSFET 的爬电距离为 5.89 mm，符合 800 V 系统要求并减少了涂覆工作量。为满足不同应用的需求，英飞凌提供一系列 RDS(on)选项，包括目前市场上唯一采用 TO263- 7 封装的 9 mΩ 型。
KOSTAL在其 OBC 平台中使用CoolSiC MOSFET
KOSTAL Automobil Elektrik 在其为中国 OEM 厂商提供的新一代 OBC 平台中采用了英飞凌最新的 CoolSiC MOSFET。KOSTAL 是一家全球领先的汽车充电器系统供应商，通过其标准化平台方案为全球提供安全、可靠和高效的产品，可满足各 OEM 厂商的要求及全球法规。
英飞凌科技车规级高压芯片和分立器件产品线副总裁 Robert Hermann 表示：“低碳化是这十年的主要挑战，让我们更有动力与客户一起推动汽车的电气化进程。因此，我们十分高兴能够与 KOSTAL 合作。这个项目突出了我们的标准产品组合在采用先进 SiC 技术的车载充电器市场中的强大地位。”
KOSTAL ASIA 副总裁兼技术执行经理 Shen Jianyu 表示：“英飞凌的新型 1200V CoolSiC 沟槽式 MOSFET 额定电压高、鲁棒性优异，是我们未来一代 OBC 平台的关键部件。这些优势有助于我们创造一个兼容的设计，以管理我们最先进的技术解决方案，实现优化成本和大规模的市场交付。”
来源：第一电动网
作者：王鸣幽
