盖世汽车讯 据外媒报道，东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba，东芝）推出采用有助于降低开关损耗 4 引脚 TO-247-4L（X）封装的碳化硅（SiC）MOSFET，即 TWxxxZxxxC 系列。该产品采用东芝最新的第三 SiC MOSFET 芯片，用于支持工业设备应用。该系列产品共有 10 款，其中 5 款额定电压为 650V，另外五款额定电压为 1200V，并均已开始批量出货。
图片来源：东芝
来源：盖世汽车
作者：刘丽婷
东芝推出第三代碳化硅MOSFET 可降低开关损耗
注意：本文为投稿文章，由「 洛阳」于 2023-09-08 投送，若有侵权请联系管理员。
转载说明：除特殊说明外本站文章皆由CC-4.0协议发布，转载请注明出处。
评论（没有评论）
文章搜索
